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超低漏电流光耦继电器,让半导体测试更可靠

文章来源:广州鼎悦电子科技公司 人气:81 发表时间:2020-05-31 16:12:02

根据摩尔( Moore)定律,半导体芯片中可容纳的晶体管数目,大约每隔18个月便翻一番,性能也将提升一倍。芯片内晶体管的特征尺寸每年都在减小,这也导致晶体管的密度不断增大,这样一来,芯片内部模块集成度越来越高,测试的复杂度也逐渐升级。在半导体器件生产中,测试成为贯穿于集成电路设计、制造、保证芯片质量的重要环节,而漏电流是半导体测试极其重要的一项参数。

半导体器件在生产过程中,需要加入杂质离子,这样一来就难免会产生漏电流。漏电流过大,导致器件测试过程中功耗增加,温度升高,温度一升高又加剧内部漏电流增大,从而形成恶性循环,不但增加了电源系统的功耗,产生过多的噪声干扰,也在一定程度上缩短了半导体器件的使用寿命。

日本进口MOS FET光耦继电器模块G3VM-21MT,采用了T型电路结构,当主电路断开,子电路闭合时,漏电流可以低至1pA以下,特别适合应用于半导体测试设备中。


产品特性

采用小型SMD封装,外形紧凑,节省了PCB布局空间。

通过T型电路设计,漏电流1pA以下,极大地减少了接入被测器件的漏电流。

三个MOS FET继电器组成1组常开触点(SPST-NO) + T开关功能

优秀的高频特性,1.5GHz时绝缘值高达20dB以上。

可靠性高,寿命长。

电气参数:

主要应用:

半导体测试设备

数据记录仪

信号发生器



广州鼎悦电子科技有限公司, 提供(OMRON)多达200多种以上规格的MOS FET系列光耦继电器,产品丰富,配合超低漏电流型G3VM-21MT以及新推出的电压驱动型G3VM-31QVG3VM-61QV,给您的产品设计选型提供了更多选择。





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